国家/地区 韩国（44） 美国（44） 欧洲专利局（EPO）（12） 中国（8） 日本（2）
IPC部 H（43） B（34） C（26）
G（7）
IPC大类 H01（43） C01（23） B82（22）
B32（10） B01（9） C23（5）
B29（2） B41（2） G01（2）
G03（2）
IPC小类 H01L（39） C01B（23） B82Y（17）
B32B（10） B82B（7） B01J（6）
C23C（5） H01B（5） H01M（3）
B01D（2） B29C（2） B41M（2）
G03F（2） H01G（2） H01J（2）
IPC H01L029/16（23） C01B031/02（17） H01L029/78（15）
C01B031/04（12） H01L021/02（12） H01L029/786（11）
B82Y040/00（10） H01L021/336（10） H01L029/66（10）
H01L029/778（10） B82Y030/00（8） H01L029/06（7）
B32B009/00（5） B82B001/00（5） B82B003/00（5）
发明人 LEE J H（16） LEE J（15） CHOI J（13）
CHUNG H（11） HEO J（11） CHOI J Y（10）
PARK S（10） PARK S J（10） SHIN H（10）
BYUN K（9） BYUN K E（9） CHUNG H J（9）
HEO J S（9） SEO D（9） SONG H（9）
公开年 2014（51）
申请年 2013（31）  2014（16）  2012（4） 
专利权人 SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD（51）

Thermoelectric structure for forming thermoelectric device for thermoelectric apparatus, comprises graphene layer, and thermoelectric component comprising thermoelectric film and quantum dot on thermoelectric film, on graphene layer.

LEE K, KIM S, HWANG S, LEE S, LEE Y, HWANG S W, KIM S I, KIM S W, LEE K H, LEE S M, LEE Y H

Method for patterning graphene using laser, involves coating graphene oxide as a film on a substrate, where the transparent film is laminated on the graphene oxide and the laser is irradiated on a ring element.

TAE H L, EAH H B, JAE D N, JOON S O, TAE S H

Method for transferring graphene during manufacturing graphene applied device that is used in e.g. high speed radio frequency switching device, involves transferring protection metal layer and graphene layer from supporter to substrate.

LEE J, KIM Y, MOON C, LEE S, LEE C, LEE J H, KIM Y S, MOON C Y, LEE S H, LEE C S

Hydrogen treated graphene surface having specified band gap and hole mobility.

HONG J I, SON J Y, HONG J, SON J, SUN Z

Graphene laminate for use in switching device and sensor device, has lower piezoelectric material layer that is positioned under lower graphene layer and is provided with negatively-charged surface and positively-charged surface.

LEE S, LEE Y, CHOI J, CHOI J Y, LEE S Y, LEE Y H

Manufacture of graphene, carbon nanotube, fullerene and/or graphite for forming structure, involves depositing metal-containing material on graphene, carbon nanotube, fullerene and/or graphite and irradiating electron beam on structure.

SHIM J, JEON T, EOM K, LEE D, SHIM J Y, JEON T H, EOM K S, LEE D H

Graphene device has insulating layer which is provided between graphene layer and gate electrode, and semiconductor substrate is provided with tunable Schottky barrier formed by junction of source electrode, graphene layer and substrate.

CHUNG H, SEO D, PARK S, BYUN K, SONG H, YANG H, HEO J, CHUNG H J, PARK S J, BYUN K E, SONG H J, YANG H J, HEO J S

Insulating sheet for electrical device, has hexagonal boron nitride sheet which is arranged on graphene sheet.

KIM S, LEE K, KIM S W, LEE K H

Heterogeneous layered structure useful in electronic device, and transistor, comprises hexagonal boron nitride sheet, and graphene sheet on hexagonal boron nitride sheet.

LEE S, SONG Y, WANG M, JANG S, CHOI J, CHOI J Y, JANG S K, LEE S J, SONG Y J

Preparing graphene, which is used for manufacturing semiconductor circuit, comprises supplying gas including carbon dioxide, methane and water on metal catalyst, and reacting and cooling the resultant.

SON I H, LEE S J